买卖IC网 >> 产品目录 >> 2SA1162GRT5LFT 两极晶体管 - BJT Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

2SA1162GRT5LFT

库存数量：可订货
制造商：Toshiba
描述：两极晶体管 - BJT Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT Transistor
2SA1162GRT5LFT PDF下载
制造商 Toshiba
配置
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO - 50 V
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO - 5 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min 200
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 S-Mini
相关资料
属性
链接
代理商 2SA1162GRT5LFT
2SA1162GRTE85L
2SA1162GRTE85LF
2SA1162GT1
2SA1162GT1/MSA1162GT1
2SA1162-O
供应商
公司名
电话
北京京华特科技有限公司 010-86398446-806 张小姐/韩先生
深圳市华创欧科技有限公司 23945755 朱先生
昆山开发区美科微电子商行 18951125455 易春花
无锡固电半导体股份有限公司 15961889159 张小姐
上海航欧机电设备有限公司 15921821180 邓超
  • 2SA1162GRT5LFT 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价